Datasheets - IGBT单晶体管
小节: "IGBT单晶体管"
制造商
APT Diodes Dynex Fairchild Fuji Electric Genesic Semiconductor Infineon International Rectifier Intersil IXYS NTE Electronics ON Semiconductor Powerex Sanyo Semikron STMicroelectronics Toshiba Vishay搜索结果: 624 输出量: 1-20
视图: 清单 / 图片
- 360 V PDP 沟槽 IGBT 安森美半导体的新型沟槽 IGBT 系列采用新颖的沟槽 IGBT 技术，为消费类电器和 PDP 电视应用提供最佳性能，因为低导通和开关损耗是至关重要的。
- 360 V PDP 沟槽 IGBT 安森美半导体的新型沟槽 IGBT 系列采用新颖的沟槽 IGBT 技术，为消费类电器和 PDP 电视应用提供最佳性能，因为低导通和开关损耗是至关重要的。
- 360 V PDP 沟槽 IGBT 安森美半导体的新型沟槽 IGBT 系列采用新颖的沟槽 IGBT 技术，为消费类电器和 PDP 电视应用提供最佳性能，因为低导通和开关损耗是至关重要的。
- 快速 IGBT
- 采用TO-247AC封装的1200V UltraFast 5-40 kHz Copack IGBT
- 采用TO-247AC封装的1200V UltraFast 5-40 kHz Copack IGBT
- 采用TO-247AC封装的1200V UltraFast 5-40 kHz Copack IGBT
1200V 超快 5-40 kHz Copack IGBT，采用 TO-247AC 封装- 1200V 超快 5-40 kHz Copack IGBT，采用 TO-247AC 封装
采用TO-247AD封装的1200V IGBT共封装，带有超快5-40 kHz软恢复二极管。- 采用TO-247AD封装的1200V IGBT共封装，带有超快5-40 kHz软恢复二极管。
- 沟槽式门极场截止IGBT，650 V，50 A软开关IH系列，采用TO-247长引线封装
- 沟槽栅极场截止650 V，40 A，软开关IH系列IGBT，采用TO-247长引线封装
- 650V场截止IGBT
- 650V场截止IGBT
- TO650中的650V场截止IGBT DGTD65T40S2PT使用先进的场截止沟槽IGBT技术生产，具有出色的质量和高开关性能。
- 650V场截止IGBT DGTD65T15H2TF使用先进的场截止沟槽IGBT技术生产，该技术具有高性能，出色的质量和高耐用性。
- 1200V场截止IGBT
- 1200V场截止IGBT
- F系列受保护IGBT将采用RC-H5技术的1350 V，20 A IGBT与独特的保护栅极驱动器IC结合在一起，并采用TO-247 6引脚封装，用于感应烹饪应用。