Datasheets - 模拟开关,多路复用器

小节: "模拟开关,多路复用器"
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  1. 0.4 Ω CMOS 1.8 V 至 5.5 V SPST 开关 ADG801 和 ADG802 是单片 CMOS 单刀单掷 (SPST) 开关,导通电阻小于 0.4 Ω。这些开关采用先进的亚微米工艺设计,具有极低的导通电阻、高开关速度和低漏电流。 低导通电阻 ( 0.4 Ω) 使这些部件非常适合低导通电阻切换至关重要的应用。 ADG801 开关常开 (NO),而 ADG802 常闭 (NC)。每个开关在开启时在两个方向上的导电性都一样好。
  2. 0.4 Ω CMOS 1.8 V 至 5.5 V SPST 开关 ADG801 和 ADG802 是单片 CMOS 单刀单掷 (SPST) 开关,导通电阻小于 0.4 Ω。这些开关采用先进的亚微米工艺设计,具有极低的导通电阻、高开关速度和低漏电流。 低导通电阻 ( 0.4 Ω) 使这些部件非常适合低导通电阻切换至关重要的应用。 ADG801 开关常开 (NO),而 ADG802 常闭 (NC)。每个开关在开启时在两个方向上的导电性都一样好。
  1. 0.4 Ω CMOS 1.8 V 至 5.5 V SPST 开关 ADG801 和 ADG802 是单片 CMOS 单刀单掷 (SPST) 开关,导通电阻小于 0.4 Ω。这些开关采用先进的亚微米工艺设计,具有极低的导通电阻、高开关速度和低漏电流。 低导通电阻 ( 0.4 Ω) 使这些部件非常适合低导通电阻切换至关重要的应用。 ADG801 开关常开 (NO),而 ADG802 常闭 (NC)。每个开关在开启时在两个方向上的导电性都一样好。
  2. 0.4 Ω CMOS 1.8 V 至 5.5 V SPST 开关 ADG801 和 ADG802 是单片 CMOS 单刀单掷 (SPST) 开关,导通电阻小于 0.4 Ω。这些开关采用先进的亚微米工艺设计,具有极低的导通电阻、高开关速度和低漏电流。 低导通电阻 ( 0.4 Ω) 使这些部件非常适合低导通电阻切换至关重要的应用。 ADG801 开关常开 (NO),而 ADG802 常闭 (NC)。每个开关在开启时在两个方向上的导电性都一样好。
  3. 0.4 Ω CMOS 1.8 V 至 5.5 V SPST 开关 ADG801 和 ADG802 是单片 CMOS 单刀单掷 (SPST) 开关,导通电阻小于 0.4 Ω。这些开关采用先进的亚微米工艺设计,具有极低的导通电阻、高开关速度和低漏电流。 低导通电阻 ( 0.4 Ω) 使这些部件非常适合低导通电阻切换至关重要的应用。 ADG801 开关常开 (NO),而 ADG802 常闭 (NC)。每个开关在开启时在两个方向上的导电性都一样好。
  4. 0.4 Ω CMOS 1.8 V 至 5.5 V SPST 开关 ADG801 和 ADG802 是单片 CMOS 单刀单掷 (SPST) 开关,导通电阻小于 0.4 Ω。这些开关采用先进的亚微米工艺设计,具有极低的导通电阻、高开关速度和低漏电流。 低导通电阻 ( 0.4 Ω) 使这些部件非常适合低导通电阻切换至关重要的应用。 ADG801 开关常开 (NO),而 ADG802 常闭 (NC)。每个开关在开启时在两个方向上的导电性都一样好。
  5. 0.4 Ω CMOS 1.8 V 至 5.5 V SPST 开关 ADG801 和 ADG802 是单片 CMOS 单刀单掷 (SPST) 开关,导通电阻小于 0.4 Ω。这些开关采用先进的亚微米工艺设计,具有极低的导通电阻、高开关速度和低漏电流。 低导通电阻 ( 0.4 Ω) 使这些部件非常适合低导通电阻切换至关重要的应用。 ADG801 开关常开 (NO),而 ADG802 常闭 (NC)。每个开关在开启时在两个方向上的导电性都一样好。
  6. 0.4 Ω CMOS 1.8 V 至 5.5 V SPST 开关 ADG801 和 ADG802 是单片 CMOS 单刀单掷 (SPST) 开关,导通电阻小于 0.4 Ω。这些开关采用先进的亚微米工艺设计,具有极低的导通电阻、高开关速度和低漏电流。 低导通电阻 ( 0.4 Ω) 使这些部件非常适合低导通电阻切换至关重要的应用。 ADG801 开关常开 (NO),而 ADG802 常闭 (NC)。每个开关在开启时在两个方向上的导电性都一样好。
  7. 0.4 Ω CMOS 1.8 V 至 5.5 V SPST 开关 ADG801 和 ADG802 是单片 CMOS 单刀单掷 (SPST) 开关,导通电阻小于 0.4 Ω。这些开关采用先进的亚微米工艺设计,具有极低的导通电阻、高开关速度和低漏电流。 低导通电阻 ( 0.4 Ω) 使这些部件非常适合低导通电阻切换至关重要的应用。 ADG801 开关常开 (NO),而 ADG802 常闭 (NC)。每个开关在开启时在两个方向上的导电性都一样好。
  8. 0.4 Ω CMOS 1.8 V 至 5.5 V SPST 开关 ADG801 和 ADG802 是单片 CMOS 单刀单掷 (SPST) 开关,导通电阻小于 0.4 Ω。这些开关采用先进的亚微米工艺设计,具有极低的导通电阻、高开关速度和低漏电流。 低导通电阻 ( 0.4 Ω) 使这些部件非常适合低导通电阻切换至关重要的应用。 ADG801 开关常开 (NO),而 ADG802 常闭 (NC)。每个开关在开启时在两个方向上的导电性都一样好。
  9. 0.4 Ω CMOS 1.8 V 至 5.5 V SPST 开关 ADG801 和 ADG802 是单片 CMOS 单刀单掷 (SPST) 开关,导通电阻小于 0.4 Ω。这些开关采用先进的亚微米工艺设计,具有极低的导通电阻、高开关速度和低漏电流。 低导通电阻 ( 0.4 Ω) 使这些部件非常适合低导通电阻切换至关重要的应用。 ADG801 开关常开 (NO),而 ADG802 常闭 (NC)。每个开关在开启时在两个方向上的导电性都一样好。
  10. 断电保护,0.85 ,1.8 V 至 5.5 V,SPDT 模拟开关(2:1 多路复用器) DG2001E 是一款高性能单刀双掷 (SPDT) 模拟开关,设计用于通过单电源轨进行 1.8 V 至 5.5 V 操作。
  11. 断电保护,0.85 ,1.8 V 至 5.5 V,SPDT 模拟开关(2:1 多路复用器) DG2001E 是一款高性能单刀双掷 (SPDT) 模拟开关,设计用于通过单电源轨进行 1.8 V 至 5.5 V 操作。
  12. CMOS 3 V/5 V、宽带四路 2:1 多路复用器
  13. CMOS 3 V/5 V、宽带四路 2:1 多路复用器
  14. CMOS 3 V/5 V、宽带四路 2:1 多路复用器
  15. CMOS 3 V/5 V、宽带四路 2:1 多路复用器
  16. CMOS 3 V/5 V、宽带四路 2:1 多路复用器
  17. CMOS 3 V/5 V、宽带四路 2:1 多路复用器
  18. CMOS 3 V/5 V、宽带四路 2:1 多路复用器