Datasheets - 记忆体

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1. MB85AS8MT — Datasheet Fujitsu
   记忆体 Fujitsu MB85AS8MT
   内存ReRAM 8M（1024 K x 8）Bit SPI MB85AS8MT是一种ReRAM（电阻性随机存取存储器）芯片，其配置为1,048,576字x 8位，使用可变电阻存储工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。 位配置：8 Mbits（1,048,576字x 8位） 串行外围设备接口：SPI（串行外围设备接口）对应于SPI模式0（0，0）和模式3（1，1） 写入缓冲区大小：256个字节 工作频率：10 MHz（最大值）
2. MB85AS8MTPF-G-KBERE1 — Datasheet Fujitsu
   记忆体 Fujitsu MB85AS8MT MB85AS8MTPF-G-KBERE1
   内存ReRAM 8M（1024 K x 8）Bit SPI MB85AS8MT是一种ReRAM（电阻性随机存取存储器）芯片，其配置为1,048,576字x 8位，使用可变电阻存储工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。 位配置：8 Mbits（1,048,576字x 8位） 串行外围设备接口：SPI（串行外围设备接口）对应于SPI模式0（0，0）和模式3（1，1） 写入缓冲区大小：256个字节 工作频率：10 MHz（最大值）

3. MB85AS8MTPW-G-KBBERE1 — Datasheet Fujitsu
   记忆体 Fujitsu MB85AS8MT MB85AS8MTPW-G-KBBERE1
   内存ReRAM 8M（1024 K x 8）Bit SPI MB85AS8MT是一种ReRAM（电阻性随机存取存储器）芯片，其配置为1,048,576字x 8位，使用可变电阻存储工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。 位配置：8 Mbits（1,048,576字x 8位） 串行外围设备接口：SPI（串行外围设备接口）对应于SPI模式0（0，0）和模式3（1，1） 写入缓冲区大小：256个字节 工作频率：10 MHz（最大值）
4. MB85AS8MTPW-G-KBAERE1 — Datasheet Fujitsu
   记忆体 Fujitsu MB85AS8MT MB85AS8MTPW-G-KBAERE1
   内存ReRAM 8M（1024 K x 8）Bit SPI MB85AS8MT是一种ReRAM（电阻性随机存取存储器）芯片，其配置为1,048,576字x 8位，使用可变电阻存储工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。 位配置：8 Mbits（1,048,576字x 8位） 串行外围设备接口：SPI（串行外围设备接口）对应于SPI模式0（0，0）和模式3（1，1） 写入缓冲区大小：256个字节 工作频率：10 MHz（最大值）