Datasheets - MOSFET单晶体管 International Rectifier
小节: "MOSFET单晶体管"
制造商: "International Rectifier"
制造商
Advanced Linear Devices Alpha & Omega Ampleon APT Avago Technologies Central Semiconductor Clare Cree Diodes Efficient Power Conversion Eudyna Devices Fairchild Freescale Fuji Electric HALO Inchange Semiconductor Infineon Integra Technologies International Rectifier International Wire Intersil IXYS IXYS RF JiLin Sino-Microelectronics Littelfuse MCC Microchip Microsemi Motorola Multicomp National Semiconductor New Jersey Semiconductor Nexperia Niko Semiconductor NTE Electronics NXP ON Semiconductor Panasonic Philips Renesas Rohm Sanyo Semelab Semikron Siliconix STMicroelectronics Taiwan Semiconductor Temic Texas Instruments Toshiba Vishay Wayon Wolfspeed系列
AUIRL7732S2TR IFR3205 IRF1010N IRF150 IRF2804 IRF2804L IRF2804S IRF3205 IRF5305 IRF5305PBF IRF5305S/L IRF5305S/LPBF IRF530N IRF530NPBF IRF530NS, IRF530NL IRF530NSPBF, IRF530NLPBF IRF540NL IRF540NS IRF6665 IRF6775M IRF7341 IRF7342 IRF7389 IRF740 IRF7425 IRF7832 IRF7832TRPBF IRF9130 IRF9510 IRF9510S IRF9530N IRF9Z24N IRFB/S/SL7730PbF IRFB/S/SL7734PbF IRFB/S/SL7787PbF IRFF9120 IRFH5406PBF IRFH7787PbF IRFR/U7740PbF IRFR/U7746PbF IRFS/SL7762PbF IRFS7730-7PPbF IRFS7734-7PPbF IRFZ44N IRFZ46N IRL3103PbF IRL3502 IRL3705N IRL540NPBF IRLR024N IRLU024N IRLZ34N搜索结果: 1,467 输出量: 1-20
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- HEXFET功率MOSFET 这款 HEXFET 功率 MOSFET 专为汽车应用而设计，采用最新加工技术，实现了单位硅片面积的极低导通电阻。此设计的其他特点包括 175°C 结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。 这些特点结合起来使该设计成为一种极其高效和可靠的设备，可用于汽车应用和各种其他应用。
- HEXFET功率MOSFET 这款 HEXFET 功率 MOSFET 专为汽车应用而设计，采用最新加工技术，实现了单位硅片面积的极低导通电阻。此设计的其他特点包括 175°C 结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。 这些特点结合起来使该设计成为一种极其高效和可靠的设备，可用于汽车应用和各种其他应用。
- HEXFET功率MOSFET 这款 HEXFET 功率 MOSFET 专为汽车应用而设计，采用最新加工技术，实现了单位硅片面积的极低导通电阻。此设计的其他特点包括 175°C 结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。 这些特点结合起来使该设计成为一种极其高效和可靠的设备，可用于汽车应用和各种其他应用。
- HEXFET功率MOSFET
- HEXFET功率MOSFET International Rectifier 的高级 HEXFET 功率 MOSFET 利用先进的加工技术实现极低的单位硅面积导通电阻。这一优势与 HEXFET 功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的设备设计相结合，为设计人员提供了一种极其高效和可靠的设备，可用于各种应用。 TO-220 封装是所有商业-工业应用的普遍首选，功耗水平约为 50 瓦。 TO-220 的低热阻和低封装成本使其在整个行业得到广泛接受。
- 采用 TO-220AB 封装的 30V 单 N 沟道 HEXFET 功率 MOSFET International Rectifier 的先进 HEXFETÆ 功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现每硅片区域的极低导通电阻。这一优势与 HEXFET 功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其高效和可靠的器件，可用于各种应用。
- -12A、-100V、0.30 欧姆、P 沟道功率 MOSFET
- 采用TO-220AB封装的-100V单P沟道HEXFET功率MOSFET
- 采用DirectFET SC封装的40V汽车级单N沟道HEXFET功率MOSFET，额定电流为58A，具有低导通电阻的优化
- 采用DirectFET MZ封装的150V单N沟道StrongIRFET功率MOSFET StrongIRFET功率MOSFET系列针对低R DS（on） 和高电流能力进行了优化。该器件非常适合需要性能和耐用性的低频应用。全面的产品组合可满足广泛的应用，包括直流电动机，电池管理系统，逆变器和DC-DC转换器。
- 采用DirectFET SH封装的100V单N沟道StrongIRFET功率MOSFET，用于音频 StrongIRFET功率MOSFET系列针对低R DS（on） 和高电流能力进行了优化。该器件非常适合需要性能和耐用性的低频应用。全面的产品组合可满足广泛的应用，包括直流电动机，电池管理系统，逆变器和DC-DC转换器。
- HEXFET功率MOSFET
采用TO-220AB封装的55V单N沟道HEXFET功率MOSFET
MOSFET，N，100 V，36 A，TO-220 规格： 连续漏极电流Id：30 A 电流ID最大值：36 A 当前温度：25°C 漏源电压Vds：100 V 满功率额定温度：25°C 结至外壳热阻A：1.1°C / W 引线间距：2.54 mm 安装类型：通孔 针数：3 晶体管数量：1 导通电阻：44 MOhm 包装/箱：TO-220AB 功耗Pd：94 W 脉冲电流Idm：120 A Rds（on）测试电压Vgs：10 V SVHC：否SVHC（2010年12月15日） ...- HEXFET功率MOSFET，V DSS = 55 V，R DS（on） = 16.5mΩ，I D = 30 A，TO-220AB
- HEXFET功率MOSFET，V DSS = 55 V，RDS （on） = 0.035Ω，I D = 30 A，TO-220AB
- MOSFET，55 V，12 A，TO-220 规格： 连续漏极电流Id：12 A 电流ID最大值：-12 A 当前温度：25°C 漏源电压Vds：55 V 满功率额定温度：25°C 结至外壳热阻A：3.3°C / W 引线间距：2.54 mm 安装类型：通孔 针数：3 晶体管数量：1 抵抗阻力Rds（on）：172 MOhm 包装/箱：TO-220AB 引脚配置：A 引脚格式：1克 功耗Pd：45 W 脉冲电流Idm：48 A Rds（on）测试电压Vgs：-10 V ...
- 采用I-Pak封装的55V单N沟道HEXFET功率MOSFET
采用D-Pak封装的55V单N沟道HEXFET功率MOSFET- 采用TO-220AB封装的55V单N沟道HEXFET功率MOSFET
排序方式: 关联 / 日期