Datasheets - MOSFET单晶体管 STMicroelectronics - 2
小节: "MOSFET单晶体管"
制造商: "STMicroelectronics"
制造商
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BUZ171 BUZ71 IRF530 STB11NM60T4 STB19NF20 STB75NF75 STB9NK90Z STD12NE06 STD19NF20 STD30NF06 STD30NF06L STD30NF06LAG STD30NF06LT4 STD30PF03 STD4NK50Z STD4NK50Z-1 STD4NK50ZT4 STF19NF20 STF9NK90Z STFW4N150 STL200N45LF7 STL42P6LLF6 STP11NM60 STP19NF20 STP4N150 STP4NK50Z STP4NK50ZFP STP75NF75 STP75NF75FP STP9NK90Z STW4N150 STW88N65M5 STW88N65M5-4 STW9NK90Z STWA88N65M5搜索结果: 726 输出量: 21-40
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- TO-3PF中的N沟道1500 V，5 Ohm，4 A PowerMESH（TM）功率MOSFET 所有功能 经过100％雪崩测试 高速切换 固有电容和Qg最小 TO-3PF的爬电距离路径为5.4毫米（典型值） 完全隔离的TO-3PF塑料包装
- TO-247中的N通道1500 V，5 Ohm，4 A PowerMESH（TM）功率MOSFET 所有功能 经过100％雪崩测试 高速切换 固有电容和Qg最小 TO-3PF的爬电距离路径为5.4毫米（典型值） 完全隔离的TO-3PF塑料包装
- N通道60V-0.020欧姆-28A-DPAK StripFET（TM）II功率MOSFET 所有功能 典型R DS （on）=0.020Ω 100％雪崩测试 出色的dv / dt功能 磁带和卷轴上的表面安装DPAK（TO-252）电源包（后缀“ T4 \”） 贯穿孔的IPAK（TO-251）电源包（后缀“ -1 \”）
- N通道60V-0.022Ω-35A DPAK / IPAK STripFET功率MOSFET
- 采用DPAK封装的N沟道60 V，0.022 Ohm典型值，35 A STripFET II功率MOSFET 所有功能 低阈值驱动 栅极电荷最小化
- 采用DPAK封装的汽车级N通道60 V，典型值为22 mOhm，35 A STripFET II功率MOSFET 所有功能 符合AEC-Q101 低阈值驱动 栅极电荷最小化
- P通道30V-0.025欧姆-24A STripFET II功率MOSFET 该功率MOSFET是意法半导体（STMicroelectronics）独特的“单特征尺寸”带状工艺的最新开发。所得的晶体管显示出极高的堆积密度，从而实现了低导通电阻和低栅极电荷。 特征： 低栅极电荷 低阈值设备 标准轮廓，易于自动化表面安装
- 采用D2PAK封装的N沟道600 V，0.4 Ohm典型值，11 A MDmesh功率MOSFET 这些器件是使用第二代MDmesh技术开发的N沟道功率MOSFET。这些革命性的功率MOSFET将垂直结构与公司的条形布局联系在一起，产生了世界上最低的导通电阻和栅极电荷之一。因此，它们适用于要求最苛刻的高效转换器。 特征： 经过100％雪崩测试 低栅极输入电阻 低输入电容和栅极电荷
- N沟道600 V，0.4 Ohm典型值，11 A MDmesh功率MOSFET，采用TO-220封装 这些器件是使用第二代MDmesh技术开发的N沟道功率MOSFET。这些革命性的功率MOSFET将垂直结构与公司的条形布局联系在一起，产生了世界上最低的导通电阻和栅极电荷之一。因此，它们适用于要求最苛刻的高效转换器。 特征： 经过100％雪崩测试 低栅极输入电阻 低输入电容和栅极电荷
- N沟道650 V，0.024 Ohm典型值，84 A MDmesh M5功率MOSFET，采用TO247-4封装 该器件是基于MDmesh M5创新的垂直工艺技术和著名的PowerMESH水平布局的N沟道功率MOSFET。所得产品的导通电阻极低，使其特别适合需要高功率和高效率的应用。 特征： 经过100％雪崩测试 容易驾驶 卓越的开关性能归功于额外的驱动源引脚 V DS 额定值更高 更高的dv / dt功能
- N沟道650 V，0.024 Ohm典型值，84 A MDmesh M5功率MOSFET，采用TO-247长引脚封装 这些器件是基于创新的专有垂直工艺技术的N通道MDmesh V功率MOSFET，与意法半导体著名的PowerMESH水平布局结构相结合。最终产品具有极低的导通电阻，这是硅基功率MOSFET所无法比拟的，因此，它特别适用于需要出色功率密度和出色效率的应用。 特征： 经过100％雪崩测试 容易驾驶 出色的开关性能 V DSS 额定值更高 更高的dv / dt功能 ...
- N沟道650 V，0.024 Ohm典型值，84 A MDmesh M5功率MOSFET，采用TO-247封装 这些器件是基于创新的专有垂直工艺技术的N通道MDmesh V功率MOSFET，与意法半导体著名的PowerMESH水平布局结构相结合。最终产品具有极低的导通电阻，这是硅基功率MOSFET所无法比拟的，因此，它特别适用于需要出色功率密度和出色效率的应用。 特征： 经过100％雪崩测试 容易驾驶 出色的开关性能 V DSS 额定值更高 更高的dv / dt功能 TO-247全球最佳R ...
- P通道60 V，0.023 Ohm典型值，42 A STripFET F6功率MOSFET，采用PowerFLAT 5x6封装
- N通道60 V，0.08Ω，12 A，IPAK / DPAK单功能尺寸功率MOSFET
N通道100 V，0.115 Ohm，14 A，TO-220，低栅极电荷STripFETTM II功率MOSFET
Part Number: STY112N65M5 Manufacturer: STMicroelectronics Description: MOSFET, N CH, 650 V, 93 A MAX247 Download Data Sheet Docket: STY112N65M5 N-channel 650 V, 0.019 96 A, MDmeshTM V Power MOSFET , in Max247 package Datasheet -- production data ...
Part Number: STW9N150 Manufacturer: STMicroelectronics Description: MOSFET, N CH, 1500 V, 8 A, TO 247 Download Data Sheet Docket: STW9N150 N-channel 1500 V - 1.8 - 8 A - TO-247 very high voltage PowerMESHTM Power MOSFET Features Type STW9N150 VDSS ...- Part Number: STW7N95K3 Manufacturer: STMicroelectronics Description: MOSFET, N CH, 950 V, 7.2 A, TO 247 Download Data Sheet Docket: STF7N95K3 STP7N95K3, STW7N95K3 N-channel 950 V, 1.1 , 7.2 A, TO-220, TO-220FP, TO-247 Zener-protected SuperMESH3TM ...
- Part Number: STW77N65M5 Manufacturer: STMicroelectronics Description: MOSFET, N CH, 650 V, 69 A, TO 247 Download Data Sheet Docket: STW77N65M5 N-channel 650 V, 0.033 69 A, MDmeshTM V Power MOSFET , TO-247 Features Order code STW77N65M5 VDSS @Tjmax. ...
- Part Number: STW60N65M5 Manufacturer: STMicroelectronics Description: MOSFET, N CH, 650 V, 46 A, TO 247 Download Data Sheet Docket: STW60N65M5 STFW60N65M5 N-channel 650 V, 0.049 46 A MDmeshTM V Power MOSFET , in TO-247, TO-3PF Features Order codes ...
排序方式: 关联 / 日期