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数据表MOSFET单晶体管
STMicroelectronics

Datasheets - MOSFET单晶体管 STMicroelectronics

小节: "MOSFET单晶体管"
制造商: "STMicroelectronics"
制造商
Advanced Linear Devices Alpha & Omega Ampleon APT Avago Technologies Central Semiconductor Clare Cree Diodes Efficient Power Conversion Eudyna Devices Fairchild Freescale Fuji Electric HALO Inchange Semiconductor Infineon Integra Technologies International Rectifier International Wire Intersil IXYS IXYS RF JiLin Sino-Microelectronics Littelfuse MCC Microchip Microsemi Motorola Multicomp National Semiconductor New Jersey Semiconductor Nexperia Niko Semiconductor NTE Electronics NXP ON Semiconductor Panasonic Philips Renesas Rohm Sanyo Semelab Semikron Siliconix STMicroelectronics Taiwan Semiconductor Temic Texas Instruments Toshiba Vishay Wayon Wolfspeed
系列
BUZ171 BUZ71 IRF530 STB11NM60T4 STB19NF20 STB75NF75 STB9NK90Z STD12NE06 STD19NF20 STD30NF06 STD30NF06L STD30NF06LAG STD30NF06LT4 STD30PF03 STD4NK50Z STD4NK50Z-1 STD4NK50ZT4 STF19NF20 STF9NK90Z STFW4N150 STL200N45LF7 STL42P6LLF6 STP11NM60 STP19NF20 STP4N150 STP4NK50Z STP4NK50ZFP STP75NF75 STP75NF75FP STP9NK90Z STW4N150 STW88N65M5 STW88N65M5-4 STW9NK90Z STWA88N65M5
搜索结果: 726 输出量: 1-20

视图: 清单 / 图片

  1. STF19NF20 — Datasheet STMicroelectronics
    MOSFET单晶体管 STMicroelectronics STF19NF20
    晶体管，晶体管阵列和模块 STMicroelectronics STF19NF20
    N 沟道 200 V、0.11 欧姆（典型值）、11 A 网格覆盖功率 MOSFET，采用 TO-220 封装 这些功率 MOSFET 采用 STMicroelectronics 的整合条带布局 MESH OVERLAY 工艺设计。最终产品的性能可媲美或优于其他制造商的同类标准部件。
  2. STD19NF20 — Datasheet STMicroelectronics
    MOSFET单晶体管 STMicroelectronics STD19NF20
    晶体管，晶体管阵列和模块 STMicroelectronics STD19NF20
    N 沟道 200 V、0.11 欧姆（典型值）、11 A 网格覆盖功率 MOSFET，采用 TO-220 封装 这些功率 MOSFET 采用 STMicroelectronics 的整合条带布局 MESH OVERLAY 工艺设计。最终产品的性能可媲美或优于其他制造商的同类标准部件。
  1. STB19NF20 — Datasheet STMicroelectronics
    MOSFET单晶体管 STMicroelectronics STB19NF20
    晶体管，晶体管阵列和模块 STMicroelectronics STB19NF20
    N 沟道 200 V、0.11 欧姆（典型值）、11 A 网格覆盖功率 MOSFET，采用 TO-220 封装 这些功率 MOSFET 采用 STMicroelectronics 的整合条带布局 MESH OVERLAY 工艺设计。最终产品的性能可媲美或优于其他制造商的同类标准部件。
  2. STP19NF20 — Datasheet STMicroelectronics
    MOSFET单晶体管 STMicroelectronics STP19NF20
    晶体管，晶体管阵列和模块 STMicroelectronics STP19NF20
    N 沟道 200 V、0.11 欧姆（典型值）、11 A 网格覆盖功率 MOSFET，采用 TO-220 封装 这些功率 MOSFET 采用 STMicroelectronics 的整合条带布局 MESH OVERLAY 工艺设计。最终产品的性能可媲美或优于其他制造商的同类标准部件。
  3. STD4NK50Z — Datasheet STMicroelectronics
    MOSFET单晶体管 STMicroelectronics STD4NK50Z
    N 沟道 500V - 2.4Ω - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK 齐纳保护 SuperMESH 功率 MOSFET
  4. STP4NK50ZFP — Datasheet STMicroelectronics
    MOSFET单晶体管 STMicroelectronics STP4NK50ZFP
    N 沟道 500V - 2.4Ω - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK 齐纳保护 SuperMESH 功率 MOSFET
  5. STP4NK50Z — Datasheet STMicroelectronics
    MOSFET单晶体管 STMicroelectronics STP4NK50Z
    N 沟道 500V - 2.4Ω - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK 齐纳保护 SuperMESH 功率 MOSFET
  6. STD4NK50ZT4 — Datasheet STMicroelectronics
    MOSFET单晶体管 STMicroelectronics STD4NK50ZT4
    采用 IPAK 和 DPAK 封装的 N 沟道 500 V、2.2 Ω（典型值）、3 A SuperMESH 功率 MOSFET 这些高压器件是齐纳保护的 N 沟道功率 MOSFET，采用 STMicroelectronics 的 SuperMESH 技术开发，是对成熟的 PowerMESH 的优化。除了显着降低导通电阻外，这些器件还旨在确保为最苛刻的应用提供高水平的 dv/dt 能力。
  7. STD4NK50Z-1 — Datasheet STMicroelectronics
    MOSFET单晶体管 STMicroelectronics STD4NK50Z-1
    采用 IPAK 和 DPAK 封装的 N 沟道 500 V、2.2 Ω（典型值）、3 A SuperMESH 功率 MOSFET 这些高压器件是齐纳保护的 N 沟道功率 MOSFET，采用 STMicroelectronics 的 SuperMESH 技术开发，是对成熟的 PowerMESH 的优化。除了显着降低导通电阻外，这些器件还旨在确保为最苛刻的应用提供高水平的 dv/dt 能力。
  8. STP75NF75 — Datasheet STMicroelectronics
    MOSFET单晶体管 STMicroelectronics STP75NF75
    N 沟道 75 V、0.0095 Ohm（典型值）、80 A STripFET II 功率 MOSFET，采用 TO-220 封装 该功率 MOSFET 系列采用 STMicroelectronics 独特的 STripFET 工艺实现，专门设计用于最大限度地减少输入电容和栅极电荷。因此，它适合在电信和计算机应用的高级高效、高频隔离式 DC-DC 转换器中用作初级开关。它还适用于栅极驱动要求低的任何应用。
  9. STP75NF75FP — Datasheet STMicroelectronics
    MOSFET单晶体管 STMicroelectronics STP75NF75FP
    N 沟道 75 V、0.0095 Ohm（典型值）、80 A STripFET II 功率 MOSFET，采用 TO-220 封装 该功率 MOSFET 系列采用 STMicroelectronics 独特的 STripFET 工艺实现，专门设计用于最大限度地减少输入电容和栅极电荷。因此，它适合在电信和计算机应用的高级高效、高频隔离式 DC-DC 转换器中用作初级开关。它还适用于栅极驱动要求低的任何应用。
  10. STB75NF75T4 — Datasheet STMicroelectronics
    MOSFET单晶体管 STMicroelectronics STB75NF75 STB75NF75T4
    N 沟道 75 V、0.0095 Ohm（典型值）、80 A STripFET II 功率 MOSFET，采用 TO-220 封装 该功率 MOSFET 系列采用 STMicroelectronics 独特的 STripFET 工艺实现，专门设计用于最大限度地减少输入电容和栅极电荷。因此，它适合在电信和计算机应用的高级高效、高频隔离式 DC-DC 转换器中用作初级开关。它还适用于栅极驱动要求低的任何应用。
  11. BUZ171 — Datasheet STMicroelectronics
    MOSFET单晶体管 STMicroelectronics BUZ171
    SIPMOS功率晶体管
  12. BUZ71 — Datasheet STMicroelectronics
    MOSFET单晶体管 STMicroelectronics BUZ71
    N 沟道 50V -0.085Ω -17A TO-220 STripFET 功率 MOSFET
  13. STL200N45LF7 — Datasheet STMicroelectronics
    MOSFET单晶体管 STMicroelectronics STL200N45LF7
    采用 PowerFLAT 5x6 封装的 N 沟道 45 V、1.4 mOhm 典型值、120 A STripFET F7 功率 MOSFET 所有功能 市场上最低的 R DS(on) 优秀的 FoM（品质因数） EMI 抗扰度的低 C rss /C iss 比 高雪崩坚固性
  14. STP9NK90Z — Datasheet STMicroelectronics
    MOSFET单晶体管 STMicroelectronics STP9NK90Z
    采用 TO-220 封装的 N 沟道 900 V、1.1 欧姆典型值、8 A SuperMESH 功率 MOSFET 所有功能 极高的 dv/dt 能力 栅极电荷最小化 100% 雪崩测试
  15. STF9NK90Z — Datasheet STMicroelectronics
    MOSFET单晶体管 STMicroelectronics STF9NK90Z
    采用 TO-220FP 封装的 N 沟道 900 V、1.1 欧姆典型值、8 A SuperMESH 功率 MOSFET 所有功能 极高的 dv/dt 能力 栅极电荷最小化 100% 雪崩测试
  16. STB9NK90Z — Datasheet STMicroelectronics
    MOSFET单晶体管 STMicroelectronics STB9NK90Z
    采用 D2PAK 封装的 N 沟道 900 V、1.1 欧姆典型值、8 A SuperMESH 功率 MOSFET 所有功能 极高的 dv/dt 能力 栅极电荷最小化 100% 雪崩测试
  17. STW9NK90Z — Datasheet STMicroelectronics
    MOSFET单晶体管 STMicroelectronics STW9NK90Z
    采用 TO-247 封装的 N 沟道 900 V、1.1 欧姆典型值、8 A SuperMESH 功率 MOSFET 所有功能 极高的 dv/dt 能力 栅极电荷最小化 100% 雪崩测试
  18. STP4N150 — Datasheet STMicroelectronics
    MOSFET单晶体管 STMicroelectronics STP4N150
    采用TO-220封装的N沟道1500 V，5 Ohm典型值，4 A PowerMESH功率MOSFET 所有功能 经过100％雪崩测试 高速切换 固有电容和Qg最小 TO-3PF的爬电距离路径为5.4毫米（典型值） 完全隔离的TO-3PF塑料包装

排序方式: 关联 / 日期