Datasheets - MOSFET单晶体管 Vishay - 2
小节: "MOSFET单晶体管"
制造商: "Vishay"
制造商
Advanced Linear Devices Alpha & Omega Ampleon APT Avago Technologies Central Semiconductor Clare Cree Diodes Efficient Power Conversion Eudyna Devices Fairchild Freescale Fuji Electric HALO Inchange Semiconductor Infineon Integra Technologies International Rectifier International Wire Intersil IXYS IXYS RF JiLin Sino-Microelectronics Littelfuse MCC Microchip Microsemi Motorola Multicomp National Semiconductor New Jersey Semiconductor Nexperia Niko Semiconductor NTE Electronics NXP ON Semiconductor Panasonic Philips Renesas Rohm Sanyo Semelab Semikron Siliconix STMicroelectronics Taiwan Semiconductor Temic Texas Instruments Toshiba Vishay Wayon Wolfspeed系列
2N7000 2N7002 BS107KL BS170 BS250 BS250KL IRF510 IRF520 IRF530 IRF530S, SiHF530S IRF540 IRF640 IRF820 IRF840L IRF9510S IRF9540 IRFD010 IRFD012 IRFD110 IRFP140 IRFP240 IRFP31N50L, SiHFP31N50L IRFP450 IRFP9140 IRFP9240 IRFR9220 IRFR9310 IRFU9220 IRFU9310 IRFZ24 IRFZ44 IRL520, SiHL520 IRL540 IRLD024 IRLL110 IRLR024 IRLU024 IRLZ44 Si1012CR Si1012R Si1012X Si1308EDL SI1470DH SI2308DS Si2312CDS Si2334DS SI2337DS Si2342DS SI2369DS Si2399DS Si3430DV Si3457CDV Si4401BDY Si4401DDY SI4401DY Si4403CDY Si4421DY Si4435BDY Si4435DDY Si4435DY-REVA Si4435FDY Si4464DY Si4466DY SI4480EY Si4490DY Si7611DN Si8410DB Si8416DB Si8466EDB Si8802DB Si9407AEY Si9424BDY SiHF520 SiHF530 SiHF640 SiHF820 SiHF840L SIHF9510S SiHF9540 SiHFP450 SiHFR9220 SiHFR9310 SiHFU9220 SiHFU9310 SiHFZ44 SiHH068N60E SiHH070N60EF SiHLD024 SiHLL110 SiHLR024 SiHLU024 SiR846DP SiRA20DP SiRA99DP SiSF20DN SiSS22DN SiSS94DN SiZ240DT SiZF300DT SQD50N06-07L SQD50N06-09L SQJ211ELP SQJ264EP SQJ457EP SQJA81EP SUB15P01-52 SUD19N20-90 SUD25N15-52 SUD50N04-8m8P SUM85N03-06P SUP15P01-52 SUP90P06-09L TN0200K TN2404K TN2404KL TP0610K TP0610KL TP0610L TP0610T VN0610L, VN10KLS, VN2222L VP0610L VP0610T VQ1000J VQ1000P搜索结果: 1,118 输出量: 21-40
视图: 清单 / 图片
- 功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 4 引脚 DIP 封装是一种低成本的机器可插入外壳样式，可以在标准 0.1 引脚中心以多种组合堆叠。双漏极用作安装表面的热连接，功耗水平高达 1 W。
- N 沟道 30 V (DS) MOSFET
N 沟道 30 V (DS) MOSFET- N 沟道 150V (DS) 175°C MOSFET
- N 沟道 200 V (DS) 175 °C MOSFET
- P通道40V（DS）MOSFET
P通道30 V（DS）MOSFET
功率MOSFET- P 沟道 80 V (DS) MOSFET
N 沟道 60V (DS) 额定 MOSFET
功率MOSFET- N 沟道 100 V (DS) MOSFET
- 功率MOSFET
- P通道8V（DS）175C MOSFET
- P通道8V（DS）175C MOSFET
汽车P通道80 V（DS）175°C MOSFET
功率MOSFET 不建议用于新设计，请使用SiHG16N50C- 功率MOSFET 不建议用于新设计，请使用SiHG16N50C
- N沟道2.5V（GS）MOSFET 已淘汰，使用Si4116DY
功率MOSFET
排序方式: 关联 / 日期