Datasheets - MOSFET单晶体管 - 6
小节: "MOSFET单晶体管"
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- 功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 DPAK 设计用于使用气相、红外或波峰焊接技术进行表面安装。直引线版本（IRLU、SiHLU 系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功耗水平可能高达 1.5 W。
- 功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 DPAK 设计用于使用气相、红外或波峰焊接技术进行表面安装。直引线版本（IRLU、SiHLU 系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功耗水平可能高达 1.5 W。
- 功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 DPAK 设计用于使用气相、红外或波峰焊接技术进行表面安装。直引线版本（IRLU、SiHLU 系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功耗水平可能高达 1.5 W。
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- 功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 DPAK 设计用于使用气相、红外或波峰焊接技术进行表面安装。直引线版本（IRLU、SiHLU 系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功耗水平可能高达 1.5 W。
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- 功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 DPAK 设计用于使用气相、红外或波峰焊接技术进行表面安装。直引线版本（IRLU、SiHLU 系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功耗水平可能高达 1.5 W。
- 功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 DPAK 设计用于使用气相、红外或波峰焊接技术进行表面安装。直引线版本（IRLU、SiHLU 系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功耗水平可能高达 1.5 W。
- N 沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 这些 N 沟道逻辑电平增强型功率场效应晶体管是使用 Fairchild 专有的高单元密度 DMOS 技术生产的。这种非常高密度的工艺经过特别定制，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能。 该产品特别适用于低电压、低电流应用，例如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 栅极驱动器和其他开关应用。
- N 沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 这些 N 沟道逻辑电平增强型功率场效应晶体管是使用 Fairchild 专有的高单元密度 DMOS 技术生产的。这种非常高密度的工艺经过特别定制，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能。 该产品特别适用于低电压、低电流应用，例如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 栅极驱动器和其他开关应用。
- N 沟道逻辑电平 PowerTrench MOSFET 30V、1.4A、160mΩ 这些 N 沟道逻辑电平 MOSFET 使用 ON Semiconductor 先进的 PowerTrench 工艺生产，该工艺专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越的开关性能而量身定制。这些设备特别适用于笔记本电脑、便携式电话、PCMCIA 卡和其他电池供电电路中的低电压应用，在这些应用中，需要在非常小的外形表面贴装封装中进行快速切换和低在线功率损耗。
- N 沟道 500V - 2.4Ω - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK 齐纳保护 SuperMESH 功率 MOSFET
- N 沟道 500V - 2.4Ω - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK 齐纳保护 SuperMESH 功率 MOSFET
- N 沟道 500V - 2.4Ω - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK 齐纳保护 SuperMESH 功率 MOSFET
- 采用 IPAK 和 DPAK 封装的 N 沟道 500 V、2.2 Ω（典型值）、3 A SuperMESH 功率 MOSFET 这些高压器件是齐纳保护的 N 沟道功率 MOSFET，采用 STMicroelectronics 的 SuperMESH 技术开发，是对成熟的 PowerMESH 的优化。除了显着降低导通电阻外，这些器件还旨在确保为最苛刻的应用提供高水平的 dv/dt 能力。
- 采用 IPAK 和 DPAK 封装的 N 沟道 500 V、2.2 Ω（典型值）、3 A SuperMESH 功率 MOSFET 这些高压器件是齐纳保护的 N 沟道功率 MOSFET，采用 STMicroelectronics 的 SuperMESH 技术开发，是对成熟的 PowerMESH 的优化。除了显着降低导通电阻外，这些器件还旨在确保为最苛刻的应用提供高水平的 dv/dt 能力。
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。- 功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。
- 功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。
- 功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。