Datasheets - MOSFET单晶体管 - 10
小节: "MOSFET单晶体管"
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- N 沟道 150V (DS) 175°C MOSFET
- N 沟道 200 V (DS) 175 °C MOSFET
- P 通道 PowerTrench MOSFET，30V，-13A，9mΩ 该 P 沟道 MOSFET 专为提高使用同步或传统开关 PWM 控制器和电池充电器的 DC/DC 转换器的整体效率而设计。这些 MOSFET 具有比其他具有可比 R DS(ON) 规格的 MOSFET 更快的开关和更低的栅极电荷。结果是一个易于驱动且更安全的 MOSFET（即使在非常高的频率下），以及具有更高整体效率的 DC/DC 电源设计。
- N 沟道逻辑电平 PowerTrench MOSFET 30V、2.7A、46mΩ 这种 N 沟道逻辑电平 MOSFET 采用先进的 PowerTrench 工艺生产，该工艺经过特别定制，可最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能。 这些器件非常适合需要低在线功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用。
功率 MOSFET (N-ch 500V VDSS≤700V)- 小信号 MOSFET 200V 250mA 10 Ohm 单 N 通道 TO-92 逻辑电平 该 MOSFET 专为高压、高速开关应用而设计，例如线路驱动器、继电器驱动器、CMOS 逻辑、微处理器或 TTL 至高压接口和高压显示驱动器。
- 小信号 MOSFET 200V 250mA 10 Ohm 单 N 通道 TO-92 逻辑电平 该 MOSFET 专为高压、高速开关应用而设计，例如线路驱动器、继电器驱动器、CMOS 逻辑、微处理器或 TTL 至高压接口和高压显示驱动器。
- 小信号 MOSFET 200V 250mA 10 Ohm 单 N 通道 TO-92 逻辑电平 该 MOSFET 专为高压、高速开关应用而设计，例如线路驱动器、继电器驱动器、CMOS 逻辑、微处理器或 TTL 至高压接口和高压显示驱动器。
- 30V N沟道MOSFET
- SIPMOS功率晶体管
- N 沟道 50V -0.085Ω -17A TO-220 STripFET 功率 MOSFET
- N 沟道增强模式垂直 Dmos 场效应管
- N 沟道增强模式垂直 Dmos 场效应管
- N 沟道增强模式垂直 Dmos 场效应管
- P 沟道增强模式垂直 Dmos FET
- P 沟道增强模式垂直 Dmos FET
- 35V P 沟道 PowerTrench MOSFET
N 沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管- 数字 FET，N 沟道
- 数字 FET，N 沟道