Datasheets - MOSFET单晶体管 - 10
小节: "MOSFET单晶体管"
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N 沟道 30 V (DS) MOSFET- N 沟道 30 V (DS) MOSFET
- N 沟道 30 V (DS) MOSFET
30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET 8-VSON-CLIP -55 至 150- 30V 单个 N 通道 Power MOSFET, 采用 I-PAK 封装 The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive ...
- 30V 单个 N 通道 Power MOSFET, 采用 I-PAK 封装 The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive ...
- 30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D-Pak 封装
- 30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D-Pak 封装
- 30V Logic Level Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-220 package The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low R DS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring ...
- 30V Logic Level Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-220 package The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low R DS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring ...
- P沟道功率MOSFET 这些产品是使用 MegaFET 工艺制造的 P 沟道功率 MOSFET。该工艺使用接近 LSI 电路的特征尺寸，可实现硅的最佳利用，从而实现出色的性能。它们设计用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。这些晶体管可以直接由集成电路操作。
- P沟道功率MOSFET 这些产品是使用 MegaFET 工艺制造的 P 沟道功率 MOSFET。该工艺使用接近 LSI 电路的特征尺寸，可实现硅的最佳利用，从而实现出色的性能。它们设计用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。这些晶体管可以直接由集成电路操作。
- P沟道功率MOSFET 这些产品是使用 MegaFET 工艺制造的 P 沟道功率 MOSFET。该工艺使用接近 LSI 电路的特征尺寸，可实现硅的最佳利用，从而实现出色的性能。它们设计用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。这些晶体管可以直接由集成电路操作。
- P沟道功率MOSFET 这些产品是使用 MegaFET 工艺制造的 P 沟道功率 MOSFET。该工艺使用接近 LSI 电路的特征尺寸，可实现硅的最佳利用，从而实现出色的性能。它们设计用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。这些晶体管可以直接由集成电路操作。
- P沟道功率MOSFET 这些产品是使用 MegaFET 工艺制造的 P 沟道功率 MOSFET。该工艺使用接近 LSI 电路的特征尺寸，可实现硅的最佳利用，从而实现出色的性能。它们设计用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。这些晶体管可以直接由集成电路操作。
- N 沟道 150V (DS) 175°C MOSFET
- N 沟道 200 V (DS) 175 °C MOSFET
- P 通道 PowerTrench MOSFET，30V，-13A，9mΩ 该 P 沟道 MOSFET 专为提高使用同步或传统开关 PWM 控制器和电池充电器的 DC/DC 转换器的整体效率而设计。这些 MOSFET 具有比其他具有可比 R DS(ON) 规格的 MOSFET 更快的开关和更低的栅极电荷。结果是一个易于驱动且更安全的 MOSFET（即使在非常高的频率下），以及具有更高整体效率的 DC/DC 电源设计。
- N 沟道逻辑电平 PowerTrench MOSFET 30V、2.7A、46mΩ 这种 N 沟道逻辑电平 MOSFET 采用先进的 PowerTrench 工艺生产，该工艺经过特别定制，可最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能。 这些器件非常适合需要低在线功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用。
功率 MOSFET (N-ch 500V VDSS≤700V)