Datasheets - 晶体管，晶体管阵列和模块 STMicroelectronics

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1. STF19NF20 — Datasheet STMicroelectronics
   MOSFET单晶体管 STMicroelectronics STF19NF20
   晶体管，晶体管阵列和模块 STMicroelectronics STF19NF20
   N 沟道 200 V、0.11 欧姆（典型值）、11 A 网格覆盖功率 MOSFET，采用 TO-220 封装 这些功率 MOSFET 采用 STMicroelectronics 的整合条带布局 MESH OVERLAY 工艺设计。最终产品的性能可媲美或优于其他制造商的同类标准部件。
2. STD19NF20 — Datasheet STMicroelectronics
   MOSFET单晶体管 STMicroelectronics STD19NF20
   晶体管，晶体管阵列和模块 STMicroelectronics STD19NF20
   N 沟道 200 V、0.11 欧姆（典型值）、11 A 网格覆盖功率 MOSFET，采用 TO-220 封装 这些功率 MOSFET 采用 STMicroelectronics 的整合条带布局 MESH OVERLAY 工艺设计。最终产品的性能可媲美或优于其他制造商的同类标准部件。

3. STB19NF20 — Datasheet STMicroelectronics
   MOSFET单晶体管 STMicroelectronics STB19NF20
   晶体管，晶体管阵列和模块 STMicroelectronics STB19NF20
   N 沟道 200 V、0.11 欧姆（典型值）、11 A 网格覆盖功率 MOSFET，采用 TO-220 封装 这些功率 MOSFET 采用 STMicroelectronics 的整合条带布局 MESH OVERLAY 工艺设计。最终产品的性能可媲美或优于其他制造商的同类标准部件。
4. STP19NF20 — Datasheet STMicroelectronics
   MOSFET单晶体管 STMicroelectronics STP19NF20
   晶体管，晶体管阵列和模块 STMicroelectronics STP19NF20
   N 沟道 200 V、0.11 欧姆（典型值）、11 A 网格覆盖功率 MOSFET，采用 TO-220 封装 这些功率 MOSFET 采用 STMicroelectronics 的整合条带布局 MESH OVERLAY 工艺设计。最终产品的性能可媲美或优于其他制造商的同类标准部件。

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